特許

J-GLOBAL ID：200903012503921247

陽極酸化アルミナ膜の形成方法

発明者： 小沢 清 ,  間島 庭司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258662
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107027
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 漏洩電流の低下した陽極酸化アルミナ膜を形成するための新しい方法を提供する。【解決手段】 アルミニウムが表面に露出した基板を、ホウ素を含む電解質を溶解した第一の電解液に浸漬してアルミニウムの陽極酸化を行い、次にこの基板をホウ素を含まない電解質を溶解した第二の電解液に浸漬して更に陽極酸化を行うか、あるいは、アルミニウムが表面に露出した基板を、ホウ素を含む電解質とホウ素を含まない電解質の両方を溶解した電解液に浸漬して陽極酸化を行う。

請求項（抜粋）：

アルミニウムが表面に露出した基板を、ホウ素を含む電解質を溶解した第一の電解液に浸漬してアルミニウムの陽極酸化を行い、次にこの基板をホウ素を含まない電解質を溶解した第二の電解液に浸漬して更に陽極酸化を行うことを特徴とする、陽極酸化アルミナ膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C25D 11/06 ,  C25D 11/12

FI (3件)：

H01L 21/316 T ,  C25D 11/06 B ,  C25D 11/12 Z