半導体発光素子と半導体発光装置及び半導体発光素子の変調方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401628
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204039
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】数GHzから数十GHz(ミリ波帯)の高速変調が可能な半導体光源として用いることを可能にする。【解決手段】高速変調可能な半導体発光素子において、発光層とすべきInGaAsP井戸層2とこの井戸層2よりも禁制帯幅の広いInGaAsP障壁層3からなる第1の量子井戸層4と、二つのInGaAs井戸層5とその間に形成された薄い歪AlAs中間障壁層6がAlAsSb障壁層7に挟まれてなる第2の量子井戸層8とが、交互に積層されて発光領域1が構成される。さらに、発光領域1の下部にはn型InGaAsP光導波層9が、上部にはp型InGaAsP光導波層10が積層される。そして、第2の量子井戸層8は第1の量子井戸層4における発光波長とは異なるサブバンド間吸収波長を有しており、このサブバンド間吸収波長帯域内の変調信号光を注入することにより発光光を変調する。

請求項（抜粋）：

発光層とすべき第1の半導体層を有する発光領域と、この発光領域を挟んで形成された第1の半導体層よりも禁制帯幅の広い第2及び第3の半導体層と、第1の半導体層に電子と正孔を電気的に注入して発光させる手段とを具備した半導体発光素子であって、第1の半導体層の近傍に少なくとも第4の半導体層と該第4の半導体層よりも禁制帯幅の狭い第5の半導体層からなる量子井戸層が形成されており、該量子井戸層は第1の半導体層における発光波長とは異なるサブバンド間吸収波長を有していることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/50 630 , G02F 1/017 506 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/50 630 , G02F 1/017 506 , H01S 5/343

Fターム (25件)：

2H079AA08 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079EA07 , 2H079HA12 , 2H079KA18 , 5F073AA64 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073AB28 , 5F073AB30 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CA12 , 5F073CA14 , 5F073EA14 , 5F073FA25 , 5F073GA02 , 5F073GA12 , 5F073GA13 , 5F073GA14 , 5F073GA23

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-136823
特開平4-120784
特開平2-210332

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