特許

J-GLOBAL ID：200903012519519350

半導体装置の製造方法

発明者： 長岡 弘二郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208039
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055351
出願日： 1995年08月15日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 反射防止膜の経時変化を防ぎ、良好なパターンで微細パターンを形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 下地基板20上に、直接またはその他の層を介して、酸窒化シリコン膜(SiON)などで構成される反射防止膜26を成膜する。反射防止膜の成膜後、その反射防止膜の表面を安定化させるために、NH3 、N2 O、O2、N2 などのプラズマ処理を行い、膜の安定化を図る。その後、反射防止膜26の上に、直接またはその他の層を介してフォトレジスト30を形成し、フォトレジストに露光を行い、マスクパターン32を転写する。

請求項（抜粋）：

下地基板上に、直接またはその他の層を介して、反射防止膜を成膜する成膜工程と、前記反射防止膜の成膜後、その反射防止膜の表面を安定化させる安定化工程と、前記反射防止膜の上に、直接またはその他の層を介してフォトレジストを形成するレジスト工程と、前記フォトレジストに露光を行い、マスクパターンを転写する転写工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/30 574 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/302 N