特許

J-GLOBAL ID：200903012526029902

シリコン半導体基板及びその製造方法

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155442
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014755
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 高い強度を有しながらしかもLSI製造時の熱酸化処理中にOSFがほとんど発生しないシリコン半導体基板を提供すること。【構成】 シリコン半導体基板内部に1016個/cm3 以上の原子空孔を含有しているシリコン半導体基板。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板内部に1016個/cm3 以上の原子空孔を含有していることを特徴とするシリコン半導体基板。