特許
J-GLOBAL ID:200903012531061199

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-092541
公開番号(公開出願番号):特開2002-289561
出願日: 2001年03月28日
公開日(公表日): 2002年10月04日
要約:
【要約】【課題】 ダイシング領域の幅を低減でき、しかも素子形成領域への水分侵入を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の素子形成面側にエッチングによって溝13を形成する工程と、素子形成面上及び溝の側面に絶縁膜14を形成する工程と、半導体基板の裏面側の領域を溝の底面に達するまで除去して半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程とを備える。
請求項(抜粋):
半導体チップの側面及び素子形成面が無機絶縁膜によって連続的に覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/318
FI (6件):
H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/306 C
Fターム (19件):
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043DD16 ,  5F043FF01 ,  5F043GG01 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AH03 ,  5F058AH06 ,  5F058BD09 ,  5F058BD19 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ06

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