特許

J-GLOBAL ID：200903012543814818

薄膜半導体装置及びその製造方法並びに電子機器及びその製造方法

発明者： 宮坂 光敏 ,  北和田 清文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013342
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213961
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】特性の良好な薄膜半導体装置や電子機器を現実的な簡便な手段で安定的に製造する。【解決手段】配線材に水素含有α構造タンタルを用いる。

請求項（抜粋）：

絶縁性物質上に島状に形成された半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極とを具備する薄膜半導体装置に於いて、少なくとも該ゲート電極の一部は水素を含有するα構造のタンタルで有る事を特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 29/78 617 M ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/34 M ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 627 E