特許

J-GLOBAL ID：200903012544524201

半導体ウェハのエッチング方法及び装置

発明者： 石黒 茂之 ,  中森 昌治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279484
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】エッチング量を高精度に制御でき、エッチングムラ及びエッチングダレを減少させることができ、しかも片面のみのエッチングを可能とする。【構成】半導体ウェハ2を回転系17の上端に水平に載せ、これを吸着して高速回転させる。高速回転するウェハ表面にエッチング液供給系18の滴下ノズル7よりエッチング液を一滴ずつ滴下してエッチングする。エッチング後、洗浄液供給系19の噴射ノズル8からウェハ表面に洗浄液を噴射してエッチング液を洗い流す。エッチング液供給系18の滴下ノズル7から滴下される滴下量、及び洗浄液供給系19の噴射ノズル8から噴射される噴射量は、液量制御系11によって制御する。

請求項（抜粋）：

水平にしたウェハを回転させながらウェハ表面にエッチング液を滴下してエッチングを行うようにした半導体ウェハのエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/306 R ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 N