半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040954
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】従来のレベル変換回路では、信号の変換後、出力までに多数のトランジスタが介在し、レベル変換に時間がかかる。更にパターンレイアウト上では、このレベル変換回路に対する電源配線の引き回しが多岐におよんで制約が多いために、チップ面積の増大に影響する。【解決手段】低電圧側回路の信号を高電圧側回路へ伝達する回路において、低電圧側にパルス信号生成回路を持ち、その出力信号によって、高電圧側回路側に構成したハイ、ロウ、ハイインピーダンスの三つの出力状態を持つレベル変換用のゲート手段の制御ゲートを制御する。

請求項（抜粋）：

第1の低電圧電源側回路の信号を第2の高電圧電源側回路へ伝達する回路において、第1の低電圧電源側回路内にパルス信号生成回路を有し、第2の高電圧電源側回路内に制御信号によってハイレベル出力、ロウレベル出力、ハイインピーダンス出力の三つの状態の出力を持つゲート手段を有し、前記第一の低電圧電源側回路の出力端子が、前記ゲート手段の入力端子に接続され、前記第1のパルス信号生成回路からの入力制御信号が前記ゲート手段の制御端子に接続されることを特徴とする半導体集積回路装置。

Fターム (9件)：

5J056AA00 , 5J056BB55 , 5J056BB57 , 5J056BB59 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056EE11 , 5J056FF08 , 5J056KK01

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