特許

J-GLOBAL ID：200903012551418174

パワー半導体モジュール

発明者： 奥田 達也 ,  大井 健史 ,  武藤 浩隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085859
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274322
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 パワー半導体モジュール内部における主回路の寄生インダクタンスの低減化と並列素子間の電流アンバランスの均等化を同時に実現できるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】 第1の電極106を有する導電性基板114と、導電性基板114上に設けられ、導電性基板114と電気的に接続された第1のパワー半導体素子102、103と、導電性基板114上に設けられた交流電極108と、導電性基板114上に設けられ、第1の電極106と極性が異なる第2の電極107とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

第1の電極を有する導電性基板と、前記導電性基板上に設けられ、前記導電性基板と電気的に接続された第1のパワー半導体素子と、前記導電性基板上に設けられた交流電極と、前記導電性基板上に設けられ、前記第1の電極と極性が異なる第2の電極とを備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H02M 1/00 ,  H02M 7/5387

FI (3件)：

H02M 1/00 M ,  H02M 7/5387 Z ,  H01L 25/04 C

Fターム (14件)：

5H007CB05 ,  5H007DA05 ,  5H007HA04 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB07 ,  5H740BB08 ,  5H740MM01 ,  5H740MM10 ,  5H740MM11 ,  5H740MM18 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5H740PP05