特許
J-GLOBAL ID：200903012552938619
太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321148
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150931
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 吸収層とバッファ層との界面の性質を改良して、太陽電池の変換効率を向上させる。【解決手段】 カルコパイライト系化合物薄膜からなる吸収層3を基板上1に形成したのち、吸収層3の表面から所定の厚さのCdのドープ層4を形成する。このドープ層4が形成された吸収層3の上にCdSからなるバッファ層5を形成する。
請求項（抜粋）：
カルコパイライト系化合物薄膜からなる吸収層を基板上に形成する工程と、この工程で形成された吸収層の表面から所定の厚さのCdのドープ層を形成する工程と、このドープ層が形成された吸収層の上にバッファ層を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Fターム (7件)：
5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051AA16
, 5F051CB11
, 5F051CB15
, 5F051CB19
, 5F051CB21
