特許
J-GLOBAL ID：200903012568040566

不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置

発明者：
三浦 博

三浦 博 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294762
公開番号（公開出願番号）：特開2002-109797
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 安価で高集積度の不揮発メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置を提供する。【解決手段】 本発明は、ガラス基板411上にカルコゲン半導体としてDCスパッタ法でGeSbTe薄膜412を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでGeSbTeを2端子の配線形状とする。配線431はドックボーン形状とし、この部分が交番に配置される。以上の形状にGeSbTeを加工後、RFスパッタ法でSiO2 薄膜413を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分421,422に開口を形成する。最後に、熱処理によりGeSbTeが相変化し、アモルファス相から結晶相に変化する。従って、トランジスタ構造を用いず、レーザビームを走査して反射光光量を検出する方法でアドレスすることから、ワード・ビット線も不要のため、高記録密度の不揮発性メモリを極単純な配線構造で安価に実現する。
請求項（抜粋）：
少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)とを含む3種類以上の元素を含有するカルコゲナイド半導体を記録層とし、レーザビーム加熱による相変化によって前記記録層の電気抵抗を部分的に変化させることで情報の記録ドメインとすることを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (5件)：
G11B 11/12 ,  G11B 9/04 ,  G11B 11/08 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00
FI (5件)：
G11B 11/12 ,  G11B 9/04 ,  G11B 11/08 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 45/00 A
Fターム (6件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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