特許
J-GLOBAL ID:200903012568246385

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-144392
公開番号(公開出願番号):特開平10-107153
出願日: 1997年06月03日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】従来のカスタムデザイン製品は、工程の短縮化や低コスト化の要求に対応すべく行われる手法であるが、ユーザの仕様書を受領してから製品を出荷するまでのターンアラウンドタイムが例えば数週間かかり、早急に所望の機能又は特性を有する半導体装置の使用を求めるユーザの要求には、十分に対応することができないという問題点がある。【解決手段】数種の独立の機能又は特性を備えたカスタム回路1、2を、あらかじめ半導体装置15に作り込んでおき、ダイソートテストの段階で、テスターのプログラム設定操作のみにより、ユーザが求める回路以外の回路の切り離しと、ユーザが求める回路の機能又は特性の評価を同時に行う。
請求項(抜粋):
半導体チップに形成された所定の機能または特性を有する第一の回路と、前記半導体チップに形成され、入力または出力が前記第一の回路の出力または入力に接続された機能または特性の異なる少なくとも2以上の第二の回路と、前記第二の回路の電源端子に電力を供給するための第一の端子と、一端が前記第一の端子に、他端が前記第二の回路の電源端子に接続され前記第二の回路の数に対応して形成されたヒューズとを有し、所望の機能または特性を有する前記第二の回路の1つにのみ前記第一の端子が接続されるように、他の前記第二の回路の電源端子に接続されている前記ヒューズが溶断されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件):
H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 T ,  H01L 27/04 D

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