バンプ付きリードを有する配線基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：中畑孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387024
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190656
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】本発明は従来例におけるレジストパターンと電鋳を併用する方法を使用せずに、バンプ付きリードを適正且つ容易に形成し、従って従来方法が有する工程の煩雑さを有効に解決する。【解決手段】表面にバンプ成形用凹所を形成した成形板を用意し、該成形板の表面に絶縁層3を形成しつつ、該絶縁層3の一部を上記凹所に充填して絶縁バンプ3a又は絶縁リブ3bを成形し、該絶縁層3を上記成形板の表面から剥離して絶縁層3の表面に絶縁バンプ3a又は絶縁リブ3bを一体成形して成る基板を得る。そして上記基板の表面に上記絶縁バンプ3a又は絶縁リブ3bを覆う導電金属層5を形成し、該導電金属層5にエッチング加工を施してリード7を形成すると共に、該リード7の局部に上記絶縁バンプ3a又は絶縁リブ3bの表面を導電金属層5で覆って成る導電バンプ6を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁バンプ成形用の窪みを形成した成形板を用意する;該成形板の表面に絶縁層を形成しつつ、該絶縁層の一部を上記窪みに充填して絶縁バンプを成形する;該絶縁層を上記成形板の表面から剥離して絶縁層の表面に絶縁バンプを一体成形して成る基板を得る;該基板の表面に上記絶縁バンプを覆う導電金属層を形成する;該導電金属層にエッチング加工を施してリードを形成すると共に、該リードの局部に上記絶縁バンプの表面を導電金属層で覆って成る導電バンプを形成する;バンプ付きリードを有する配線基板の製造方法。

IPC (5件)：

H05K 3/00 , H01L 21/60 311 , H01L 23/12 , H05K 3/06 , H05K 3/40

FI (5件)：

H05K 3/00 W , H01L 21/60 311 S , H05K 3/06 A , H05K 3/40 Z , H01L 23/12 F

Fターム (17件)：

5E317AA02 , 5E317BB01 , 5E317CD25 , 5E317CD29 , 5E317CD31 , 5E317CD40 , 5E317GG16 , 5E339AB02 , 5E339AC02 , 5E339AC07 , 5E339AD01 , 5E339BC01 , 5E339BD05 , 5E339BD11 , 5E339BE11 , 5E339EE10 , 5F044KK19

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-110859 出願人：古河電気工業株式会社
配線基板における導電バンプの構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-051951 出願人：山一電機株式会社, 株式会社双晶テック
特表平5-508732

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