特許
J-GLOBAL ID：200903012590177214
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287244
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122736
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】 電子ビーム露光法や二層レジスト法等の複雑なプロセスを用いないで、従来からの光露光技術のままでゲート長の短縮を図り、量産性、制御性に優れた高速の半導体素子をうること。【構成】 半導体基板1上に形成されたチャネル層3、キャリア供給層5、コンタクト層6を含む主構造部を有する半導体素子において、前記主構造部上に順次積層されたオーミックコンタクト層7、半絶縁性半導体層8と、コンタクト層7と半絶縁性半導体層8に形成された順メサ形状の溝と、前記溝に形成されたゲート電極11を備える半導体素子とその製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、少なくともチャネル層からなる主構造部をもつ、電界効果型トランジスタにおいて、前記主構造部の上に配された半絶縁性半導体層と、前記半絶縁性半導体層に形成され、かつ前記チャネル層における空乏層の厚さを制御する層まで達する順メサ形状の溝と、前記溝に配されたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
