特許

J-GLOBAL ID：200903012593892542

薄膜トランジスタ型液晶表示装置

発明者： 小椋 茂樹 ,  伊藤 浩志 ,  ▲吉▼澤 佳代
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118442
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 静電気を発生し難い構造を有する薄膜トランジスタ基板にすることで、薄膜トランジスタ基板がダメージを受けないようにした薄膜トランジスタ型液晶表示装置を提供する。【構成】 薄膜トランジスタ型液晶表示装置において、基板上に形成されるゲート電極11と、その上に設けられるゲート絶縁膜形成領域4と、ドレイン電極15上でかつ画素電極18の下に設けられる保護絶縁膜形成領域3と、ゲート絶縁膜形成領域4と保護絶縁膜形成領域3とが表示領域より広く形成され、かつ配向膜形成領域2は前記表示領域よりも広くかつ保護絶縁膜形成領域3より内側に狭く形成される構造を備え、前記ゲート電極11及びドレイン電極15はゲート絶縁膜形成領域4もしくは保護絶縁膜形成領域3より外側では薄膜トランジスタ基板上の表面に位置するよう配置する。

請求項（抜粋）：

(a)基板上に形成されるゲート電極と、(b)該ゲート電極上に設けられるゲート絶縁膜形成領域と、(c)ドレイン電極上でかつ画素電極の下に設けられる保護絶縁膜形成領域と、(d)前記ゲート絶縁膜形成領域と保護絶縁膜形成領域とが表示領域より広く形成され、かつ配向膜形成領域は前記表示領域よりも広くかつ前記保護絶縁膜形成領域より内側に狭く形成される構造を備え、(e)前記ゲート電極及びドレイン電極は前記ゲート絶縁膜形成領域もしくは前記保護絶縁膜形成領域より外側において薄膜トランジスタ基板の表面に位置するように構成することを特徴とする薄膜トランジスタ型液晶表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-217421
  
• 特開平2-056943
  
• 特開平2-150822