銀パターンおよびその形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145713
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343396
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】半導体装置、センサ、配線基板等に用いられる銀パターンおよびその形成方法に関し、絶縁基板の上に形成されるクロム等の密着用金属層と銀層との間の密着性を向上させ、銀パターンの表面の変質を防止する。【構成】絶縁基板(1,11)の上に、この絶縁基板との密着性が優れたクロム等の密着用金属層(2,12)を形成し、その上に、この密着用金属層(2,12)との密着性が優れ、同時に、その上に形成する銀層(4,14)との密着性も優れている銅層またはニッケル層(3,13)を形成し、さらにその上に銀層(4,14)を形成する。この際、その上に銅層(15)を形成してクロム等の密着用金属層(2,12)のパターニングマスクとして使用し、パターニングの後に少なくともその一部を残して電気抵抗を低減することができる。そして、この銀パターンを用いて酸素電極あるいはガラス電極を製造する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上に、基板密着用の金属層、銅層またはニッケル層、銀層をこの順で形成されたことを特徴とする銀パターン。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , G01N 27/404 , G01N 27/36

FI (3件)：

H01L 21/88 A , G01N 27/30 341 Z , G01N 27/30 341 L

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