半導体デバイスおよび書込方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小杉佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071914
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274623
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高集積化に適した書込方法を適用することのできる回路構成を備えたプログラマブルな半導体デバイス、およびその半導体デバイスへの書込方法を提供する。【構成】アンチヒューズに、第1のトランジスタ13_1および第2のトランジスタ14_1を経由する第1の書込用電力を供給し、第1の信号線11_1に、第1のトランジスタ13_1および第3のトランジスタ15_1を経由する電流を流すことにより第1のトランジスタ13_1を低電圧降伏状態にし、第1のトランジスタ13_1を低電圧降伏状態に維持したまま、交点に配置されたアンチヒューズ1_1_1に、第1のトランジスタ13_1および第2のトランジスタ14_1を経由する第2の書込用電力を供給する。

請求項（抜粋）：

互いに交差する第1の信号線および第2の信号線と、これら第1の信号線と第2の信号線との交点に配置されたアンチヒューズとを備え、遮断状態にあるアンチヒューズに電力を供給して該アンチヒューズを固定的な導通状態に遷移させる書込みを前記交点に配置されたアンチヒューズについて行なうか否かに応じて異なる回路動作が実現される半導体デバイスにおいて、前記アンチヒューズへの書込用電力を切断自在に伝達する、前記第1の信号線および前記第2の信号線それぞれに直列に接続された第1のトランジスタおよび第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの接続位置に対し前記アンチヒューズを挟む反対側の位置に、前記第1の信号線に直列に接続された第3のトランジスタとを備えたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H03K 19/177 , H01L 21/82 , H01L 27/10 431 , H03K 19/00 , H03K 19/173 101

FI (5件)：

H03K 19/177 , H01L 27/10 431 , H03K 19/00 C , H03K 19/173 101 , H01L 21/82 F

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