特許

J-GLOBAL ID：200903012604448941

成膜装置

発明者： 奥谷 謙 ,  古川 亮一 ,  黒米 松夫 ,  大岸 秀次 ,  岡田 大介 ,  谷ツ田 雄司 ,  壁屋 伸一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195286
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041379
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 バリヤメタルとAl合金の積層膜からなるAl積層配線を高スループットで形成する。【構成】 半導体基板4上にバリヤメタル膜を成膜する第一のチャンバ1と、前記バリヤメタル膜を酸素を含む雰囲気中に曝してその膜質を安定化させる第二のチャンバ2と、前記バリヤメタル膜上にAl合金膜を成膜する第三のチャンバ3とを備えた成膜装置である。

請求項（抜粋）：

基板上にバリヤメタル膜を成膜するための第一のチャンバと、前記バリヤメタル膜を酸素を含む雰囲気中に曝してその膜質を安定化させるための第二のチャンバと、前記バリヤメタル膜上にAl系導電膜を成膜するための第三のチャンバとを備えていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301