特許
J-GLOBAL ID：200903012608493305
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266231
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124563
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 素子を分離するのに充分な形状を持つ埋込型の素子分離領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 主表面を有するシリコン基板1と、この基板1内に形成された溝2と、この溝2内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部4を有し、かつこの突出部4の頂部から基体の主表面にかけてスロ-プ状5a〜5cとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有する。
請求項（抜粋）：
主表面を有する半導体基体と、前記基体の主表面領域内に形成された溝と、前記溝内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部を有しかつこの突出部の頂部から前記基体の主表面にかけてスロ-プ状となる絶縁膜により構成される素子分離領域とを具備することを特徴とする半導体装置。
Fターム (15件)：
5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA46
, 5F032BA01
, 5F032CA17
, 5F032DA02
, 5F032DA23
, 5F032DA25
, 5F032DA26
, 5F032DA28
, 5F032DA30
, 5F032DA33
, 5F032DA34
, 5F032DA44
, 5F032DA53
