特許
J-GLOBAL ID：200903012612676660
マスクレイアウトパラメータ抽出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072884
公開番号（公開出願番号）：特開平10-269267
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 容易な処理で高速化の図れるマスクレイアウトパラメータ抽出方法を実現する。【解決手段】 半導体マスクレイアウト情報から抵抗素子とコンタクトの矩形の座標情報とを取得し、コンタクトの矩形の中心点の座標を求め、その中心点からX軸とY軸に直交するコンタクト直交線を求め、その直交線同士の交点であるコンタクト直交交点を求める。抵抗素子の矩形内に存在するコンタクト直交交点とコンタクトの矩形の中心点の相互間をコンタクト直交線に沿って抵抗素子の矩形内で結び、それを抵抗線として登録する。この抵抗線で結ばれていないコンタクトの矩形の中心点が存在する場合に、処理8〜処理13を行って、全てのコンタクトの矩形の中心点が接続される抵抗線を求め、その抵抗線の長さ(分割された抵抗素子の長さ)を求め、また抵抗線を求める際に用いた各点から分割された抵抗素子の幅を求めて、求めた長さと幅から抵抗値を算出する。
請求項（抜粋）：
半導体マスクレイアウト情報から、抵抗値を抽出する抵抗素子の矩形の座標情報と、前記抵抗素子に接続するコンタクトの矩形の座標情報とを取得する第1の処理と、前記第1の処理で取得した前記コンタクトの矩形の座標情報から前記コンタクトの矩形の中心点の座標を求め、その中心点からX軸とY軸に直交するコンタクト直交線を求める第2の処理と、前記第2の処理で求めたコンタクト直交線同士の交点であるコンタクト直交交点を求める第3の処理と、前記第3の処理で求めたコンタクト直交交点のうち前記抵抗素子の矩形内に存在するコンタクト直交交点を選別して記憶する第4の処理と、前記第4の処理で記憶した前記コンタクト直交交点と前記コンタクトの矩形の中心点の相互間を前記コンタクト直交線に沿って前記抵抗素子の矩形内で結ぶ第5の処理と、前記第5の処理により前記コンタクト直交交点と前記コンタクトの矩形の中心点の相互間を結んだ線を抵抗線として登録する第6の処理と、前記第6の処理で登録された抵抗線によりすべてのコンタクトの矩形の中心点が結ばれたか否かを判断する第7の処理と、前記第7の処理の結果、前記抵抗線で結ばれていないコンタクトの矩形の中心点が存在する場合に、前記コンタクト直交線の中から、前記抵抗線に非接続で、かつ前記第4の処理で記憶した前記抵抗素子の矩形内に存在するコンタクト直交交点と交わっていないコンタクト直交線を選択する第8の処理と、前記第8の処理により選択したコンタクト直交線同士の交点を求め、その交点を方向点として記録する第9の処理と、前記抵抗線で結ばれていないコンタクトの矩形の中心点から前記方向点に向かって線を引き、前記抵抗素子の矩形の辺と交わる点をエッジ点として記録する第10の処理と、前記エッジ点からX軸とY軸に直交するエッジ直交線を求め、前記エッジ直交線の間で交わる交点をエッジ直交交点として記録し、前記エッジ直交線と前記抵抗線の交点をエッジ中間点として記録する第11の処理と、前記コンタクトの矩形の中心点と、前記抵抗素子の矩形内のコンタクト直交交点と、前記エッジ点と、前記エッジ直交交点と、前記エッジ中間点とを結び、この結んだ線を新たに抵抗線として登録する第12の処理と、前記第7の処理の結果、前記第6の処理で登録された抵抗線によりすべてのコンタクトの矩形の中心点が結ばれていた場合には、前記コンタクトの矩形の中心点および前記抵抗素子の矩形内のコンタクト直交交点により分割される抵抗線の長さを求め、それを分割された抵抗素子の長さとして記録し、前記第7の処理の結果、前記抵抗線で結ばれていないコンタクトの矩形の中心点が存在した場合には、前記第8〜第12の処理後に、前記コンタクトの矩形の中心点,前記抵抗素子の矩形内のコンタクト直交交点,前記エッジ点,前記エッジ直交交点および前記エッジ中間点により分割される抵抗線の長さを求め、それを分割された抵抗素子の長さとして記録する第13の処理と、前記コンタクトの矩形の中心点,前記抵抗素子の矩形内のコンタクト直交交点,前記エッジ点,前記エッジ直交交点および前記エッジ中間点の周辺における前記分割された抵抗素子の幅を求めて記録する第14の処理と、前記第13および第14の処理で求めた前記分割された抵抗素子の長さと幅から前記分割された抵抗素子の抵抗値を求める第15の処理とを含むマスクレイアウトパラメータ抽出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F 15/60 666 A
, H01L 21/66 C
