特許
J-GLOBAL ID：200903012617660265
薄膜多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-084281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291372
出願日： 1992年04月07日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,層間絶縁層にポリイミドを使用して薄膜多層配線を形成した基板の製造方法に関し,感光性ポリイミドを用いた基板でのビアホール形状による上下導体配線接続の信頼性の確保を目的とする。【構成】 層間絶縁層に感光性ポリイミド膜2を使用し, 感光性ポリイミド膜2に形成したビアホール3を介して上下の導体配線膜4を接続する薄膜多層配線基板1において,ビアホール3を形成するマスクパターンと逆の, 反転マスクパターンにより形成するダミーパターン6を用いて,該ビアホール3の断面形状を検査するように構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1) 上の層間絶縁層に感光性ポリイミド膜(2) を使用し, 該感光性ポリイミド膜(2) に形成したビアホール(3) を介して上下の導体配線膜(4) を接続する薄膜多層配線基板(5) において,該ビアホール(3) を形成するマスクパターンと逆の, 反転マスクパターンにより形成するダミーパターン(6) を用いて,該ビアホール(3) の断面形状を検査することを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/90
, H05K 3/46
