特許

J-GLOBAL ID：200903012620763431

半導体発光ダイオード

発明者： 虫上 雅人
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328337
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186287
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光ダイオードにおいて、表面電極から発光領域に至る電流分布の改善および発生して横方向に進む光の光路の短縮により、光取出し効率および輝度の向上をはかる。【構成】 半導体基板1上に形成される発光ダイオードにおいて、発光領域層の上に高抵抗層5が、さらにその上にその表面を一部露呈したまま低抵抗層6が、順次形成され、これら両抵抗層の表面に渡って発光表面側の電極8が形成され、さらに、その電極8において中心のボンディング用部分8aから延びる複数の電流供給用部分8bの隣合う組に挟まれる半導体層表面下の半導体層が、基板表面にいたるまで切欠かれている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該基板上に積層される複数の半導体層と、さらにその上に形成される表面電極とからなり、前記複数の半導体層のうちの所定の1つが活性層であって、該活性層の下方に位置する半導体層もしくは基板がすべて第1導電型で、該活性層の上方に位置する半導体層がすべて第2導電型であり、かつ、前記表面電極は、ボンディング用部分と、該ボンディング用部分の周囲の一部に接続し、その外側方向に延びる複数の電流供給用部分とからなり、該複数の電流供給用部分のうちの隣り合う2つに挟まれる半導体層表面領域の少くとも1つについて、その領域直下の前記活性層を少くとも含む半導体層が、異なる2つ以上の方向で外部に面する側面を有する半導体発光ダイオード。