特許

J-GLOBAL ID：200903012621168286

半導体装置の製造方法

発明者： 三好 康介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-247573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074479
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 溝型容量素子や素子分離における熱酸化膜の重金属汚染を防止し、電荷保持特性や素子間分離特性の劣化を防ぐ。【解決手段】 ゲッタリングサイト100を有するシリコン基板101にドライエッチング法により溝103を形成し、第1の熱酸化膜105を形成する。さらに、第1の熱酸化膜105をウェットエッチングにて除去後、還元性雰囲気中での熱処理を行うことにより、溝表面に存在する重金属汚染元素をシリコン基板内部のゲッタリングサイト100に捕獲する。これにより、清浄な溝表面を得た後、容量素子形成や素子分離を行う第2の熱酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

ゲッタリングサイトを有するシリコン基板に溝を形成する工程と、該シリコン基板に対して同一反応容器内で還元性雰囲気中の熱処理とその後の熱酸化膜を形成する酸化熱処理を行う工程と、からなる半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/76

FI (5件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/322 G ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-101428
  
• 特開平3-266434
  
• 特開昭62-290155
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-039947   出願人：株式会社東芝