特許
J-GLOBAL ID：200903012626828209
半導体装置の保護層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267507
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】配線基板に搭載された半導体チップとワイヤボンディング線を樹脂の保護層で保護した半導体装置の提供。【構成】配線基板上に搭載した少なくとも半導体チップとワイヤボンディング線を樹脂組成物からなる保護層で埋設する半導体装置の保護層の形成方法において、前記保護層はその表面層が先に硬化するよう硬化速度に勾配を持たせた組成物で形成し、最終的に保護層全体を一体に加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の保護層の形成方法。【効果】特殊な型枠を用いなくとも所望の厚さの保護層が形成でき、従来技術と比べて微細で複雑な箇所に搭載された半導体チップの保護層を容易に形成でき、チップオンボードの製造が簡単になる。
請求項（抜粋）：
配線基板上に搭載した少なくとも半導体チップとワイヤボンディング線を樹脂組成物からなる保護層で埋設する半導体装置の保護層の形成方法において、前記保護層はその表面層が先に硬化するよう硬化速度に勾配を持たせた組成物で形成し、最終的に保護層全体を一体に加熱硬化させることを特徴とする半導体装置の保護層の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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