特許
J-GLOBAL ID：200903012626864850
III族窒化物半導体基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293528
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115832
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【目的】 転位が少なく良好な厚い素子層を持つ構造を可能とするため、熱膨張係数がIII族窒化物結晶に近く、かつ結晶性の良い表面を持つIII族窒化物基板、およびその作製方法を提供すること。【構成】 多結晶III族窒化物層とその上に形成された単結晶III族窒化物層とからなることを特徴とするIII族窒化物半導体基板及び酸又はアルカリ溶液で溶解可能な単結晶基板上に単結晶III族窒化物を成長する工程と、引き続いて多結晶III族窒化物を成長する工程と、酸又はアルカリ溶液で溶解可能な単結晶基板を酸又はアルカリ溶液でIII族窒化物と選択的に除去する工程と、該窒化物基板の単結晶表面上に単結晶III族窒化物層を成長する工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
多結晶III族窒化物層とその上に形成された単結晶III族窒化物層とからなることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 29/205
, H01L 33/00
H01L 21/20
, H01L 21/203 Z
, H01L 33/00 C
, H01L 29/205
