特許

J-GLOBAL ID：200903012629780630

化合物半導体装置

発明者： 天野 実 ,  野崎 千晴 ,  野津 哲郎 ,  芦沢 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050741
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250711
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 化合物半導体装置のショットキー電極、オーミック電極の信頼性、電気的特性の向上と製造歩留りの向上を図る。【構成】 化合物半導体装置において、III -V族化合物半導体層からなるショットキーコンタクト層203、あるいはオーミックコンタクト層209と電極金属との界面、すなわち金属・半導体界面に、Pt等の高融点金属とV族元素の合金層202、PtとPt以外の他の高融点金属との合金層が所定の寸法、所定の組成で形成されている。またこれら界面の合金層の粒径が20nm以上である構造、および単結晶合金層を用いた構造のオーミック電極を用いた半導体装置である。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体からなる半導体層と、該半導体層の少なくとも一部の上部に形成され、白金(Pt)とV族元素からなる合金層(以下Pt-V合金層という)と、該Pt-V合金層の上部に形成された金属電極層とから成る電極部を少なくとも具備することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/80 M