半導体基体の保護絶縁膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032467
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227890
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】段差基体上にステップカバレージの良好な保護絶縁膜を形成する。【構成】半導体装置における段差基体12上の保護絶縁膜5aの形成方法であって、窒素を含有する有機Si化合物を用いて段差基体上に保護絶縁膜5を形成する工程と、第1の熱処理により保護絶縁膜5を流動させる工程と、第2の熱処理により保護絶縁膜5中の不純物を除去する工程を含む。第1の熱処理を施して窒化シリコン凝固層の融点以上の温度に半導体基体を加熱するので、窒化シリコン凝固層が融解・流動して段差基体の低部側(溝部側)に流れ込み、配線層間の段差溝を埋め込むことができる。第2の熱処理を行うことによって膜中のメチル基等の不純物が気化して除去される。これによってステップカバレージの優れた保護絶縁膜が形成される。膜質も良好なものとなる。

請求項（抜粋）：

半導体基体の段差基体上に保護絶縁膜を形成する保護絶縁膜形成方法であって、窒素を含有する有機シリコン化合物を用いて上記段差基体上に保護絶縁膜を形成する工程と、第1の熱処理により上記保護絶縁膜を流動させる工程と、第2の熱処理により上記保護絶縁膜中の不純物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体基体の保護絶縁膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , H01L 21/283 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/318 A , H01L 21/283 N , H01L 21/31 C , H01L 21/90 R

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