特許

J-GLOBAL ID：200903012638281191

ダイヤモンドの選択形成法

発明者： 勝又 聡
出願人/特許権者： 出光石油化学株式会社
代理人 (1件)： 福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-262231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116089
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイス、ヒートシンク、電子材料等に好適に用いることのできるダイヤモンドを、所望の大きさ及び形状に、寸法精度よく高い選択性をもって形成することのできる、ダイヤモンドの選択形成法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的を達成するための前記請求項1に記載の発明は、シリコン基板の表面に、マスクパターンを形成し、非マスク部を陽極化成法によりポーラス化した後に熱酸化することによりSiO2 化し、その後電界処理又は傷付け処理を行ない、次いで気相法によるダイヤモンド合成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に、マスクパターンを形成し、非マスク部を陽極化成法によりポーラス化した後に熱酸化することによりSiO2 化し、その後電界処理又は傷付け処理を行ない、次いで気相法によるダイヤモンド合成を行なうことを特徴とするダイヤモンドの選択形成法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-030697
  
• 特開昭51-002391
  
• 特開平3-070156
  
• 特開平4-010419