超伝導薄膜の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020989
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208391
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：

【要約】【課題】比誘電率が低く、超伝導薄膜との格子不整合が大きい基板上に、表面平滑性に優れ、高い動作温度と、低い表面インピーダンスを有する高周波受動素子用または積層能動素子用に好適な酸化物超伝導薄膜を作製する方法を提供する。【解決手段】真空装置中に配設された基板上に、酸化物超伝導薄膜を所定の厚さに成膜する工程と、成膜を一定時間中断して、成膜した酸化物超伝導薄膜をアルゴンもしくはアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気中でアニールすることにより格子不整合緩和層を形成する工程と、引き続き、格子不整合緩和層上に、酸化物超伝導膜を成膜して、低い表面抵抗を有し、表面平滑性に優れた酸化物超伝導膜を形成する工程を含む超伝導薄膜の作製方法とする。

請求項（抜粋）：

真空装置中に配設された基板上に、酸化物超伝導薄膜を所定の厚さに成膜する工程と、成膜を一定時間中断して、上記成膜した酸化物超伝導薄膜をアルゴンもしくはアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気中でアニールすることにより格子不整合緩和層を形成する工程と、引き続き、上記格子不整合緩和層上に、上記酸化物超伝導膜を成膜して、低い表面抵抗を有し、表面平滑性に優れた酸化物超伝導膜を形成する工程を含むことを特徴とする超伝導薄膜の作製方法。

IPC (4件)：

C30B 29/22 501 , C01G 1/00 , C01G 3/00 ZAA , H01L 39/24 ZAA

FI (4件)：

C30B 29/22 501 C , C01G 1/00 S , C01G 3/00 ZAA , H01L 39/24 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-311398
特開平2-212303
特開平2-212304

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