特許

J-GLOBAL ID：200903012643443183

フツ素化ジケトン金属錯体化合物

発明者： 菅原 駿吾 ,  佐藤 弘次
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013266
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117199
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】CVD 法による膜形成に用いる錯体化合物で、気化性、熱安定性の再現性の点において優れた性能を示す金属錯体化合物を提供すること。【構成】上記目的は、金属錯体化合物を、一般式 R1COCH2COR2(式中、R1は炭素数1から6までのフッ素化アルキル基、R2は炭素数2から8までのフッ素化アルキル基を表す)で示されるジケトン化合物と結合している金属錯体であるフッ素化ジケトン金属錯体化合物とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

一般式 R1COCH2COR2 (式中、R1は炭素数1から6までのフッ素化アルキル基、R2は炭素数2から8までのフッ素化アルキル基を表す)で示されるジケトン化合物と結合している金属錯体であることを特徴とするフッ素化ジケトン金属錯体化合物。

IPC (12件)：

C07C 49/92 ,  C07F 1/02 ,  C07F 1/04 ,  C07F 1/08 ,  C07F 3/00 ,  C07F 3/02 ,  C07F 3/04 ,  C07F 3/06 ,  C07F 5/00 ,  C07F 5/06 ,  C07F 7/00 ,  C07F 9/94

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-115245
  
• 特公昭58-013754