特許
J-GLOBAL ID:200903012645387973

MEMSデバイスのパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  浅野 裕一郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-500482
公開番号(公開出願番号):特表2009-530823
出願日: 2007年03月14日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
本発明は、微小電気コンポーネント、微小機械コンポーネント、微小電気機械(MEMS)コンポーネント、又は微小流体コンポーネントを基板上にパッケージするための方法であって、容易に除去可能な第二基板上の架橋フォトレジストから作られた空洞を形成し、選択されたマイクロデバイスを含む第三基板に前記空洞を結合し、次に前記除去可能な第二基板を剥がすことによりパッケージする方法に関する。
請求項(抜粋):
微小電気コンポーネント、微小機械コンポーネント、微小電気機械(MEMS)コンポーネント、又は微小流体コンポーネントを基板上にパッケージするための方法であって: (a) 第一基板上に配置された第一ネガ型写真影像可能重合体フォトレジスト層を含む第一積層体を形成する工程; (b) 第二基板上に配置された第二ネガ型写真影像可能重合体フォトレジスト層を含む第二積層体を形成する工程; (c) 前記第一積層体を放射線エネルギーに曝露して前記第一写真影像可能重合体フォトレジスト層に潜像部分を形成する工程; (d) 前記第一積層体を前記第二積層体へ結合し、前記影像部分を前記第二写真影像可能重合体フォトレジスト層と接触させる工程; (e) 一体化した前記第一及び第二写真影像可能重合体フォトレジスト層の一部分を放射線エネルギーに曝露し、前記一体化したフォトレジスト層に第二潜像を形成し、前記第一及び第二フォトレジスト層の一体化した曝露部分が、微小電気コンポーネント、微小機械コンポーネント、微小電気機械(MEMS)コンポーネント、又は微小流体コンポーネントのための少なくとも一つのパッケージ構造体の、それぞれカバー及び壁部分に相当する工程; (f) 前記第二基板を前記結合した積層体から除去する工程; (g) 前記結合積層体を露光後焼き締め(PEB)し、予め露光した領域のフィルムを架橋する工程; (h) 前記露光後焼き締めした結合積層体を現像し、前記第一及び第二フォトレジスト層の非架橋部分を除去し、得られた前記第一基板上に配置されたパッケージ構造体に相当する架橋部分を含む第一側を残す工程; (i) 第三基板上に、少なくとも一つの微小電気デバイス、微小機械デバイス、微小電気機械(MEMS)デバイス、又は微小流体デバイスを含む第二側を形成する工程; (j) 前記工程(h)で得られた第一側を前記工程(i)の第二側と結合し、それぞれのパッケージ構造体が各デバイスと重なり、第三基板との結合を形成させる工程;及び (k) 前記第一基板を、前記一体化した第一側及び第二側から除去する工程;を含むパッケージ方法。
IPC (5件):
H01L 23/02 ,  B81C 3/00 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/40
FI (6件):
H01L23/02 Z ,  B81C3/00 ,  G03F7/38 511 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503Z ,  G03F7/40 521
Fターム (26件):
2H025AA14 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025DA08 ,  2H025EA08 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA14 ,  2H025FA39 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096CA16 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096GA00 ,  2H096HA01 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA10 ,  3C081BA30 ,  3C081CA23 ,  3C081CA32 ,  3C081CA40 ,  3C081DA22

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