半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167649
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030185
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】長波長半導体レーザ装置において、ドーパントの拡散の起こらない電流阻止層を得る。【構成】 InPに格子整合するAl0.48In0.52As層6に酸素をドーピングした高抵抗層6を電流阻止層として使用する。【効果】ドーパントである酸素がAlと結合するため、ドーパントの拡散が起こらず、レーザ特性の向上ができる。

請求項（抜粋）：

ダブルヘテロ構造を有し、メサストライプ形状に成形された半導体レーザ積層体と、上記メサストライプの両側に埋め込み成長された電流阻止層とを備えた半導体レーザ装置において、上記電流阻止層は、結晶を構成する原子としてAlを含有し、酸素がドープされた混晶からなる高抵抗層であることを特徴とする半導体レーザ装置。

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