特許

J-GLOBAL ID：200903012650317550

半導体ウェハの製造方法およびその製造装置

発明者： 加納 史義 ,  飯尾 順一 ,  土屋 総二郎 ,  中久木 清 ,  深谷 顕成
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-094898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297648
出願日： 1998年04月07日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 薄肉加工でのウェハの反りの発生を抑制して次の処理工程に移送すること。【解決手段】 ウェハ1a、1bをホットメルト接着剤4により接合させた状態で研削工程および研磨工程にて薄肉化し、ウェハチャックにウェハ1a、1bを固定させた状態でウェハ1a、1bを剥離させ、その固定状態を保持した状態でダイシング用テープ40の張り付けおよびSG用テープ3a、3bを剥離させた後、ダイシングを行う。これにより、研削工程および研磨工程を経た後も、ウェハ1a、1bの表面または裏面のいずれかでウェハチャックによって固定され続けているので、ウェハ1a、1bの反りの発生をウェハチャックにより防止して、的確に次の処理工程を実施することができる。

請求項（抜粋）：

ウェハの反りを抑制する方向に力を働かせて該ウェハを固定する第1の工程と、固定された前記ウェハに対して薄肉加工を施す第2の工程と、薄肉加工を施された前記ウェハを固定したままの状態で次の処理工程に移送する第3の工程と、を含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/304 622 J ,  H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/02 C