フォトリソグラフィ方法及びMR磁気ヘッド

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松井伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350804
公開番号（公開出願番号）：特開平9-179307
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 NiFe膜を成膜後の工程でイメージリバーサルレジストを用いたパターニングを行ったとしても、係るNiFe膜が腐食せず所望の特性が得られるフォトリソグラフィ方法を提供すること【解決手段】基板1上に所定層2を介してMR素子3を形成する。この時、MR素子は、通常の3層構造(NiFeRh膜3a,Ta膜3b,NiFe膜3c)の上に、さらに保護膜としてTa膜3dを積層する。この後、イメージリバーサルレジストを用いてパターニングし、MR素子に接続される引出線4を形成する。上記レジストに対して紫外線を照射すると、酸が発生するが、酸に弱いNiFeは保護膜に覆われているので、浸食されず所望の膜厚を維持し、特性が劣化しない。

請求項（抜粋）：

MRヘッドのセンス膜として形成されるNiFe膜の上に、酸に対する腐食に強く、かつ抵抗率が高い非磁性材の保護膜を付着させ、その状態でイメージリバーサルレジストを塗布後、露光現像処理により逆テーパ状のレジスト層を形成するようにしたフォトリソグラフィ方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/26 513 , G11B 5/39

FI (3件)：

G03F 7/11 503 , G03F 7/26 513 , G11B 5/39

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