特許

J-GLOBAL ID：200903012654543945

結晶化薄膜の評価方法

発明者： 前川 茂樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 鬼頭 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031350
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214869
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 従来の結晶化薄膜の評価方法においては、評価自体に長時間を要したり、被評価対象物を破壊しなければならず、結晶化後の簡易的評価方法としては適当ではなかった。【解決手段】 結晶化用エネルギービーム7を非晶質Si薄膜6に対して照射して結晶化させた結晶化Si薄膜9に対して、透過率測定用の光8を結晶化工程その場で照射し、結晶化Si薄膜9の透過率を測定し評価する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上の非晶質薄膜に対して結晶化用エネルギービームを照射して結晶化薄膜とする結晶化の工程で、結晶化した結晶化薄膜上に波長380〜650nmの透過率測定用の光を照射して結晶化薄膜の透過率を測定する結晶化薄膜の評価方法。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/59 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/66 L ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/59 M ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G