特許
J-GLOBAL ID：200903012655690038
強誘電体薄膜被覆基板及びそれを用いたキャパシタ構造素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090160
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260516
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、薄膜の表面が緻密かつ平坦でリーク電流特性に優れ、さらに十分に大きな残留自発分極を示す強誘電体薄膜被覆基板及びそれを用いたキャパシタ構造素子を提供することを目的としている。【解決手段】 シリコン等から成る基板1上にBi4Ti3O12等から成る強誘電体薄膜5が形成されて成る強誘電体薄膜被覆基板において、強誘電体薄膜5上に強誘電体薄膜5を覆うTiO2等から成るオーバーコート層6を配置して構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に強誘電体薄膜が形成されて成る強誘電体薄膜被覆基板において、前記強誘電体薄膜上に該強誘電体薄膜を覆うオーバーコート層が配置されたことを特徴とする強誘電体薄膜被覆基板。
IPC (15件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, C01G 23/00
, G11C 11/22
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 37/02
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 49/02
, H01L 21/314
H01L 29/78 371
, C01G 23/00
, G11C 11/22
, H01L 37/02
, H01L 49/02
, H01L 21/314 A
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 41/08 C
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 Z
