特許

J-GLOBAL ID：200903012661618594

エッチング方法

発明者： 本多 亮 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002539
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208975
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】開口寸法が小さくかつ深いトレンチを容易に形成できるエッチング方法を提供すること。【構成】シリコン基板11上にAl2 O3 膜11を形成する工程と、このAl2O3 膜11上にレジスタパターン13を形成する工程と、CHF3 /COを主成分とするエッチングガスをプラズマ状態にし、このエッチングガスのプラズマによりレジストパターン13をマスクとしてAl2 O3 膜11を選択的にエッチングする工程と、HBrを主成分とするエッチングガスをプラズマ状態にし、このエッチングガスのプラズマによりAl2 O3 膜11をマスクとしてシリコン基板11を異方的に選択エッチングする工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

シリコン膜上に酸化アルミニウムからなるマスクパターンを形成する工程と、塩素及び臭化水素の少なくとも一方を主成分とするエッチングガスをプラズマ状態にし、このエッチングガスのプラズマにより前記マスクパターンをマスクとして前記シリコン膜を選択エッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。