特許
J-GLOBAL ID：200903012666498775
電源供給制御装置及び電源供給制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013062
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299931
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電流検出を行うために電力の供給経路に直列接続されるシャント抵抗を不要として装置の熱損失を抑え、短絡抵抗を持つ不完全短絡などのレアショートが発生した場合の異常電流に対しても高速応答を可能とし、集積化が容易で安価な電源供給制御装置および電源供給制御方法を提供する。【解決手段】 第1半導体スイッチFETQAの異常電流を検知して、異常電流発生時には第1半導体スイッチFETQAをオン/オフ制御して振動電流を生成し、この振動電流により第1半導体スイッチFETQAを遮断するようにし、第1半導体スイッチFETQAのドレイン-ソース間電圧と第2半導体スイッチリファレンスFETQBのドレイン-ソース間電圧とをコンパレータCMP1で比較し、この比較結果に応じて、第1半導体スイッチFETQA及び第2半導体スイッチFETQBのゲート端子に駆動回路111から制御電圧を供給する。
請求項（抜粋）：
負荷への電力供給を制御する第1半導体スイッチと、この第1半導体スイッチの異常電流を検知して、異常電流発生時には第1半導体スイッチをオン/オフ制御して振動電流を生成し、この振動電流により第1半導体スイッチを遮断する制御回路とを有する電源供給制御装置であって、前記制御回路は、前記第1半導体スイッチと並列接続され、前記第1半導体スイッチの正常電流動作範囲で最大値となる基準を表す第1基準負荷への電力供給を制御する第2半導体スイッチと、前記第1半導体スイッチの第1端子間電圧と前記第2半導体スイッチの第2端子間電圧とを比較する第1比較手段と、この第1比較手段からの出力に応じて、前記第1及び第2半導体スイッチの制御端子に制御電圧を供給する制御電圧供給手段とを有することを特徴とする電源供給制御装置。
IPC (4件)：
H02J 1/00 306
, B60R 16/02 660
, H03K 17/08
, H03K 17/687
H02J 1/00 306 F
, B60R 16/02 660 B
, H03K 17/08 C
, H03K 17/687 A
