特許
J-GLOBAL ID：200903012669142424
半導体電子放出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340761
公開番号（公開出願番号）：特開平6-187902
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 局所的発熱を防いで、高い電子放出効率を長期にわたり維持する電子放出素子を提供する。【構成】 基板上に半導体層として少なくともダイヤモンド結晶を形成してなる半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド結晶の高さと最大結晶面の最大幅との比が1:4乃至1:1000の範囲にあり、且つ前記結晶面と、結晶が形成された基板面とのなす角が0乃至10度であることを特徴とする半導体電子放出素子。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層として少なくともダイヤモンド結晶を形成してなる半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド結晶の高さと最大結晶面の最大幅との比が1:4乃至1:1000の範囲にあり、且つ前記結晶面と、結晶が形成された基板面とのなす角が0乃至10度であることを特徴とする半導体電子放出素子。
IPC (2件)：
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