特許
J-GLOBAL ID:200903012670146484
塗布、現像装置及びその方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
井上 俊夫
, 水野 洋美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-294567
公開番号(公開出願番号):特開2006-229183
出願日: 2005年10月07日
公開日(公表日): 2006年08月31日
要約:
【課題】レジスト膜形成用の単位ブロックと、反射防止膜形成用の単位ブロックとを積層して設けることにより、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成するにあたり、省スペース化を図ること。また反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれにも対応することができ、この際のソフトウェアの簡易化を図ること。【解決手段】処理ブロックS2に、塗布膜形成用の単位ブロックであるTCT層B3、COT層B4、BCT層B5と、現像処理用の単位ブロックであるDEV層B1,B2とを互いに積層して設ける。反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれの場合においても、TCT層B3、COT層B4、BCT層B5の内の使用する単位ブロックを選択することにより対応でき、この際の搬送プログラムの複雑化を抑えて、ソフトウェアの簡易化を図ることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
IPC (5件):
H01L 21/027
, H01L 21/677
, B05C 11/08
, B05C 13/02
, B05C 9/14
FI (6件):
H01L21/30 562
, H01L21/30 502J
, H01L21/68 A
, B05C11/08
, B05C13/02
, B05C9/14
Fターム (45件):
4F042AA07
, 4F042BA19
, 4F042BA25
, 4F042DB17
, 4F042DF09
, 4F042DF15
, 4F042EB12
, 4F042EB17
, 5F031CA02
, 5F031DA08
, 5F031DA17
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031FA11
, 5F031FA12
, 5F031FA15
, 5F031GA02
, 5F031GA04
, 5F031GA42
, 5F031GA47
, 5F031GA48
, 5F031GA49
, 5F031HA13
, 5F031HA48
, 5F031HA59
, 5F031MA02
, 5F031MA03
, 5F031MA06
, 5F031MA15
, 5F031MA23
, 5F031MA24
, 5F031MA26
, 5F031MA27
, 5F031MA33
, 5F031NA02
, 5F031NA09
, 5F031NA15
, 5F031NA17
, 5F031PA02
, 5F031PA11
, 5F046CD03
, 5F046CD04
, 5F046CD05
, 5F046JA27
, 5F046LA19
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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特許第3337677号
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基板処理装置およびその方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-170501
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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基板処理システム及び塗布、現像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-397558
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板の回収方法及び基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-200544
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-111771
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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基板処理装置および基板処理システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-246709
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-323704
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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レジストパターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-340590
出願人:株式会社東芝
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