特許
J-GLOBAL ID：200903012677145602
ドライエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208789
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061190
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】単結晶シリコンへのトレンチエッチングにおいてエッチングマスクとなる酸化膜との選択比を高い状態に維持したまま、Y型トレンチエッチング形状ができるドライエッチング方法を提供する。【構成】マイクロ波プラズマエッチング装置を使ったHBrガスと酸素ガスを混合した反応ガスにおいて、反応ガスの総流量に対して1%から5%の範囲で酸素ガスを混合し、Y型トレンチエッチング形状を作る。【効果】トレンチ開口部をテーパ形状にできるため、トレンチ内へカバレッジ良く堆積膜の形成を行なうことができる。
請求項（抜粋）：
HBrガスと酸素ガスを混合した反応ガスを用いることにより、単結晶シリコンにY型溝あるいはY型穴を形成することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 27/04
