特許

J-GLOBAL ID：200903012688088554

半導体のキャリア濃度測定方法、半導体デバイス製造方法及び半導体ウエハ

発明者： 中野 浩之 ,  谷口 研二
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227470
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125753
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 エリプソメトリ法に改良を加えることにより、非接触非破壊で、半導体層のキャリア濃度と膜厚を同時に測定できるようにする。【解決手段】 エリプソメトリ法装置1の光源4からは、半導体の自由キャリアによる光吸収が起きるような周波数領域の光(例えば、赤外光)が出射され、偏光板5を通してキャリアドープド半導体層9に照射される。この反射光は偏光板7を通して受光器6で受光される。エリプソメトリ法装置1によって反射振幅比tanΨとその位相Δを求める。キャリア濃度Ncと膜厚dを仮定して所定の関係式から計算によってΨとΔを算出し、Ψ及びΔの測定値と計算値の誤差が小さくなるようにカーブフィッティングさせる。この誤差が許容範囲になったときの仮定値NCと膜厚dを半導体のキャリア濃度NCと膜厚dの測定値とする。

請求項（抜粋）：

測定対象とする半導体中の自由キャリアによる光吸収が発生する周波数帯、もしくは当該周波数帯を少なくとも一部に含む周波数帯の光を用いた光学的測定手段により反射振幅比及びその位相、もしくは当該反射振幅比及び位相に代わる測定結果を取得し、当該反射振幅比及び位相もしくはそれに代わる測定結果に基づいて半導体のキャリア濃度を求めることを特徴とする半導体のキャリア濃度測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/41

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/21 Z ,  G01N 21/41 Z