特許

J-GLOBAL ID：200903012688173586

薄膜多層配線及びその製造方法

発明者： 深田 晋一 ,  諏訪 元大 ,  工藤 一恵 ,  峯村 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中本 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200202
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021234
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 スル-ホ-ル配線と下部配線層との接続部の信頼性が確保され、同時にスル-ホ-ル周辺での配線と絶縁層との剥離防止に有効な配線構造を有する薄膜多層配線とその形成法を提供する。【構成】 基板上に形成された、下部配線層11、層間絶縁層53、上部配線層51及びスル-ホ-ル配線10よりなる多層配線を、下部配線層11、スル-ホ-ル配線層10を順次膜形成後、ホトリソグラフィー技術によりスル-ホ-ル配線用マスク層と下部配線パターン層を順次異なる材料で形成し、エッチング技術によりスル-ホ-ル配線層に下部配線パターンを転写後下部配線パターン層のみ除去し、下部配線層11をこの転写された下部配線パターンをマスクとしてまたスル-ホ-ル配線10をスル-ホ-ル配線用マスク層をマスクとしてエッチング形成することにより、異種金属の接続面をスル-ホ-ル底面から隔てかつ逆テーパのスル-ホ-ル配線を有する構造とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、下部配線層、層間絶縁層、及び上部配線層と上下の配線層間の導通のために層間絶縁層中に形成されたスルーホール配線よりなる薄膜多層配線において、該スルーホール配線の上部配線層との接触面積が下部配線層との接触面積より小さく、かつスルーホール配線内の少なくとも1ケ所でその断面積が極小となることを特徴とする薄膜多層配線。