特許
J-GLOBAL ID：200903012694432402
コンタクトホールの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162388
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜とフォトレジスト膜との界面の密着性を向上させることによりサイドエッチングを防止する。【構成】 半導体デバイス上に形成された絶縁膜12にフォトリソグラフィおよびエッチングによりコンタクトホールを形成する方法において、前記絶縁膜12上にフォトレジスト膜13を形成する前に当該絶縁膜12の表面をプラズマ処理する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス上に形成された絶縁膜にフォトリソグラフィおよびエッチングによりコンタクトホールを形成する方法において、前記絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する前に当該絶縁膜の表面をプラズマ処理することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, C23C 16/50
, H01L 21/28
, H01L 21/31
