特許

J-GLOBAL ID：200903012696332480

薄膜形成方法及び形成装置

発明者： 溝上 員章 ,  三井 泰裕 ,  金井 昭司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153669
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】ホトレジスト11等の薄膜形成成分の溶液を供給するノズル15とウェハ等の対象物12との間に高電圧を加えることによって薄膜材料を帯電した微小液滴に霧化し、該高電圧によって発生した電場によってウェハ等の対象物の表面に付着させる。上述した手段によれば、導電性の液体と対象物の間に電場を印加することにより、液体が帯電した微細な液滴として噴霧され、対象物に付着する。【効果】より均一でより膜厚の薄い薄膜を形成することができ、任意の形状に薄膜を形成し、より大面積の薄膜形成ができる。

請求項（抜粋）：

対象物の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、薄膜形成成分の溶液を供給するノズルと対向電極との間に電圧を印加し、前記溶液を帯電した微小液滴に霧化し、霧化した帯電液滴を前記電圧による電界の力によって対象物の表面に付着させることにより形成成分の薄膜を形成する薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  B05B 5/08 ,  B05D 1/04 ,  G03F 7/16 501