特許

J-GLOBAL ID：200903012713347705

薄膜形成方法、薄膜デバイス、電子機器

発明者： 牧浦 理恵 ,  轟原 正義
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-365918
公開番号（公開出願番号）：特開2006-172987
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】 液体プロセスを用いた成膜を行う際に、成膜面の性質と液状材料の性質との関係に関わらず良好な成膜を行うことを可能とする技術を提供すること。 【解決手段】 薄膜となるべき溶質とこれを溶解する溶媒とを含んでなる液状材料を用いて成膜を行う方法であって、対象物(10)の少なくとも成膜面近傍の温度を上記液状材料の沸点以上に上昇させる第1工程と、上記液状材料(12)を上記対象物の成膜面に滴下する第2工程と、前記対象体の成膜面上に上記液状材料が到達した時点で上記液状材料、の温度を前記沸点まで上昇させ、前記溶媒を蒸発させる第3工程と、を含む、薄膜形成方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

薄膜となるべき溶質とこれを溶解するもしくは分散させる溶媒とを含んでなる液状材料を用いて成膜を行う方法であって、 対象物の少なくとも成膜面の温度を前記液状材料の沸点以上に上昇させる第1工程と、 前記液状材料を前記対象物の成膜面に滴下する第2工程と、 前記対象体の成膜面上に前記液状材料が到達した時点で当該液状材料の温度を前記沸点まで上昇させ、前記溶媒を蒸発させる第3工程と、 を含む、薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (2件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (4件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01