特許
J-GLOBAL ID:200903012714138905

レジストパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-218048
公開番号(公開出願番号):特開平6-069090
出願日: 1992年08月18日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】【目的】 微細パターンの形成に好適するレジストパタ-ンの形成方法を提供する点。【構成】 従来技術のように溶剤による溶解作用を使用せず、特定の波長の紫外光を電子線照射用レジストに照射することにより、電子線照射部と電子線未照射部におけるレジスト除去速度比を大きくして、レジストのパターニングを行う。従って、溶剤使用に伴う弊害を完全になくすことができると共に、溶剤による安全対策などをしない設備により実施することができる上に、微細パターンの形成が可能になる。
請求項(抜粋):
レジストに電子線を選択的に照射後、電子線未照射部に紫外線を照射してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法

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