特許
J-GLOBAL ID：200903012715391906
単結晶基板構造体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273979
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128363
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 基板深さ方向に構造を持ったチップを、多段異方性エッチングプロセスで加工する際、サイドエッチングの発生を防止し、プロセスによる制約を受けることなく、必要最小限の寸法で製作する。【構成】 単結晶基板201の両表面に、後で行う三回のエッチングに用いる三枚のエッチングマスク202,203,204を重ねて形成し、第3のエッチングマスク204を用いて少なくとも梁厚の半分の段差が形成されるまで異方性エッチングを行い、第2のエッチングマスク203を用いて異方性エッチングで梁エッジ部に堤防状構造部205を形成し、第1のエッチングマスク202を用いて異方性エッチングで梁厚を薄くしつつ梁周辺部を貫通するが、このとき、梁エッジ部の堤防状構造部205が梁206の幅方向のエッチングを抑制するため、梁原形の幅を維持したまま目的の梁厚になる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板両表面の少なくとも梁原形および梁を支える枠部上に形成した第一の保護膜を用いて、エッチングにより梁厚の半分以上の段差を前記単結晶基板両表面に形成し、前記単結晶基板両表面上の前記第一の保護膜のうち少なくとも梁原形上の保護膜を除去した第二の保護膜を用いて、前記梁原形および貫通部を単結晶基板両面から全面エッチングして、梁厚を目的の厚さまで薄くすると同時に貫通部を貫通することによって形成される、一本以上の梁を有する単結晶基板構造体において、梁表面端部の稜線と貫通部を介して梁と向き合う基板表面端部の稜線との水平距離が、単結晶基板表面から梁表面までの垂直距離の1.8倍以下であることを特徴とする単結晶基板構造体。
IPC (3件)：
G01P 15/125
, H01L 21/306
, H01L 29/84
H01L 21/306 B
, H01L 21/306 Q
