特許

J-GLOBAL ID：200903012715394328

半導体レーザーおよびその製造方法

発明者： 戸田 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334261
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 ドライエッチング法によりレーザー共振器の反射端面を形成する、AlGaInPなどのIn系半導体を用いた半導体レーザーにおいて、良好な反射端面を容易に得ることを可能とする。【構成】 n型GaAs基板1上にn型AlGaInPクラッド層2、活性層3およびp型AlGaInPクラッド層4を積層した後、これらの層をウエットエッチングすることによりレーザー構造を形成する。次に、このレーザー構造を覆うように埋め込み層としてのAlGaAs層6を形成した後、このAlGaAs層6をRIE法などのドライエッチング法によりエッチングすることによりレーザー共振器の反射端面を形成する。

請求項（抜粋）：

それぞれIn系半導体から成る第1導電型の第1のクラッド層、上記第1のクラッド層上に積層された活性層および上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層を有する半導体レーザーにおいて、上記In系半導体よりもドライエッチングが容易な半導体から成る埋め込み層が上記第1のクラッド層、上記活性層および上記第2のクラッド層の少なくとも側壁部を覆うように設けられており、上記埋め込み層のドライエッチングにより形成された側面によりレーザー共振器の反射端面が形成されていることを特徴とする半導体レーザー。