特許
J-GLOBAL ID：200903012717084350
傾斜表面シリコンウエハ及びその表面構造の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
赤野 牧子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087593
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264401
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 熱処理等により再構成される傾斜シリコンウエハの表面ステップ構造を原子間力顕微鏡で確認可能として、表面構造を制御して形成させより高性能な半導体基板を提供する。【構成】 面方位(100)の単結晶シリコンウエハを、(001)面の垂線を[110]方向に0.01°〜0.2°の角度に傾斜してスライスし洗浄処理した後、窒素ガス含有量0.1ppm以下の超純度アルゴン雰囲気中、600〜1300°Cで1分間以上熱処理(アニール)処理して、Sa及びSbのステップ段を含むステップ構造の結晶面とすることを特徴とする傾斜表面シリコンウエハの表面構造の形成方法。ステップ構造が、原子間力顕微鏡により確認されてなることが好ましい。
請求項（抜粋）：
面方位(100)のシリコンウエハであり、(001)面の垂線を[110]方向に0.01〜0.2°の角度で傾斜する傾斜表面において、規則性の高いステップSa及びステップSbのステップ段を含むステップ構造結晶面を有することを特徴とする傾斜表面シリコンウエハ。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 311
, H01L 21/324
, H01L 21/66
H01L 21/02 B
, H01L 21/304 311 A
, H01L 21/324 Z
, H01L 21/66 J
